О продукте

Статус продукта Активен

Полевой транзистор N-канального типа

Технология MOSFET (оксид металла)

Напряжение стока к источнику (Vdss) 250 В

Постоянный ток стока (Id) при 25 ° C 24A (Tc)

Напряжение привода (макс. Rds включено, мин. Rds включено) 10 В

Rds включено (макс.) при Id, Vgs 67 Мом при 24А, 10 В

Напряжение тока (th) (макс.) при Id 4 В при 90 мкА

Заряд затвора (Qg) (макс.) при напряжении тока 30 нЦ при 10 В

Напряжение тока (макс.) ±20 В

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) при Vds 2410 пФ при 125 В

Функция полевого транзистора -

Рассеиваемая мощность (Макс.) 150 Вт (Tc)

Рабочая температура -55 °C ~ 175 °C (TJ)

Тип монтажа Поверхностное крепление

Комплект поставки устройства поставщика PG-TDSON-8-1

Упаковка/Кейс 8-PowerTDFN

Базовый номер товара BSC670

Технические характеристики

• Состояние - Новое
• Тип - Логические микросхемы
• Фирменное наименование - NoEnName_Null
• Происхождение - Материковый Китай
• Рабочая температура - -55C ~ 175C (TJ)
• Номер модели - BSC670N25NSFD
• Комплектация - SMD